内田洋行と福井大、教育モデル共創　学習環境・データ・評価を一体化(電波新聞デジタル)

三菱電機は2026年11月9日、GaN（窒化ガリウム）基板上にGaNのエピタキシャル層（エピ層）を成膜するGaN on GaN技術を用いて作成した高周波トランジスタ（GaNトランジスタ）について、Si 半導体製造装置大手の米ラムリサーチは、今後5年間で30億ドル超を投じ、世界の研究開発拠点網を拡充する。 人工知能（AI）向け先端半導体の需要拡大を背景に、研究開発のスピード向上と顧客支援体制の強化を狙う スズキは2026年11月9日、軽商用車「スペーシア ベース」の新モデルの先行情報を同社Webサイトで公開した。 新型スペーシア ベースは同年冬に発売される予定だ。 【スズキの新型「スペーシア ベース」】